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北京顿思集成电路设计有限责任公司从事射频功率器件的设计、研发、晶圆加工(含MPW)、封装、测试和销售。以顿思的前沿技术和人才优势,采用先进的集成电路、功率器
北京顿思集成电路设计有限责任公司从事射频功率器件的设计、研发、晶圆加工(含MPW)、封装、测试和销售★★★。以顿思的前沿技术和人才优势★★★,采用先进的集成电路、功率器件设计软硬件★,依托国际先进的BCD工艺线,成功设计了多个系列高可靠性RF-MOSFET功率器件。
顿思公司的主要产品包括射频功率LDMOS器件、定制化功率MOS器件及其配套的50欧系统解决方案。顿思重点关注射频应用领域产品★★,应用频率覆盖DC~4GHz,输出功率等级覆盖0★★★.1W~500W,供电电压3★.7V~380V;拥有塑料封装、金属封装等适应各类应用需求的标准封装和定制化封装外形;有单管、合封模组等各种应用方案。团队成员有十年以上相关行业设计★、应用经验★★,可以为客户提供各类解决方案。顿思致力成为RF功率器件专业研发者★,专业品质★,您的信赖源泉,期待与您的合作★。
顿思公司的射频功率晶体管,主要应用于射频移动通信基站、射频广播、移动无线电★、射频能源以及工业★、科研、医疗等众多具有战略重要性的行业领域。公司在器件设计、芯片制造★★、芯片封装、芯片测试等一整条产品供应链上达成百分之百的国产化,使得产品具备技术可控、成本更低★★、周期更短和供货更稳定的优势。